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S5T8557B01-D0B0

更新时间： 2024-01-29 13:14:07
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三星 - SAMSUNG 解码器编解码器电信集成电路电信电路光电二极管PC
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14页 128K
描述
1 CHIP CODEC

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S5T8557B01-D0B0 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：16
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.84Is Samacsys：N
压伸定律：A-LAW滤波器：YES
JESD-30 代码：R-PDIP-T16长度：19.4 mm
负电源额定电压：-5 V功能数量：1
端子数量：16工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：-25 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
标称供电电压：5 V表面贴装：NO
电信集成电路类型：PCM CODEC温度等级：OTHER
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

S5T8557B01-D0B0 数据手册

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S5T8554B/7B  
1 CHIP CODEC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Unless otherwise noted, V = 5.0V ± 5%, V = - 5.0V ± 5%, GND = 0V, Ta = 0°C to 70°C;  
CC  
BB  
A
typical characteristics specified at V = 5.0V, V = - 5.0V, Ta=25°C; all signals referenced to GND )  
CC  
BB  
A
Characteristic  
Load Resistance  
Symbol  
Test Conditions  
VF O = ± 2.5V  
Min.  
600  
-
Typ.  
Max.  
-
Unit  
W
R
C
-
-
-
L
L
R
Load Capacitance  
-
-
500  
200  
pF  
Output DC Offset Voltage  
V
- 200  
mV  
OO (RX)  
ANALOG INTERFACE WITH TRANSMIT INPUT AMPLIFIER  
Input Leakage Current  
Input Resistance  
I
-2.5V£V£+2.5V, VF I+ or VF I-  
- 200  
10  
-
200  
nA  
MW  
W
LKG  
X
X
R
-2.5V£V£+2.5V, VF I+ or VF I-  
-
-
3
I
X
X
Output Resistance  
R
Closed loop, unity gain  
-
1
-
O
Load Resistance  
R
C
GS  
GS  
10  
-
kW  
pF  
L
L
X
X
Load Capacitance  
-
-
50  
-
Output Dynamic Range  
Voltage Gain  
V
GS , R £10KW  
± 2.8  
5,000  
1
-
V
OD (TX)  
X
L
G
VF I+ to GSX  
-
-
V/N  
MHz  
mV  
V
V
X
Unity Gain Bandwidth  
Offset Voltage  
BW  
-
-
2
-
-
V
- 20  
- 2.5  
60  
20  
2.5  
-
IO (TX)  
Common-Mode Voltage  
Common-Mode Rejection Ratio  
Power Supply Rejection Ratio  
V
CMRRXA > 60dB  
DC Test  
-
CM (TX)  
CMRR  
PSRR  
-
dB  
dB  
DC Test  
60  
-
-
4
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