5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 逻辑集成电路类型： | AND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.02 A | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | OPEN-COLLECTOR | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 14.25 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 10 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 子类别： | Gates | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S54S09F/883C | PHILIPS |
获取价格 |
AND Gate, TTL, CDIP14 |
|
| S54S09W | NXP |
获取价格 |
IC S SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDFP14, Gate |
|
| S54S09W/883B | PHILIPS |
获取价格 |
AND Gate, TTL, CDFP14 |
|
| S54S10F/883B | PHILIPS |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDIP14 |
|
| S54S10F883B | NXP |
获取价格 |
NAND Gate, S Series, 3-Func, 3-Input, TTL, CDIP14, DIP-14 |
|
| S54S10W/883B | PHILIPS |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDFP14 |
|
| S54S112F | NXP |
获取价格 |
J-K Flip-Flop, S Series, 2-Func, Negative Edge Triggered, 2-Bit, Complementary Output, TTL |
|
| S54S112F/883C | PHILIPS |
获取价格 |
J-K Flip-Flop, 2-Func, Negative Edge Triggered, TTL, CDIP16 |
|
| S54S112F883B | NXP |
获取价格 |
S SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16, DIP-16 |
|
| S54S112F883C | NXP |
获取价格 |
IC S SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16, DIP |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
