5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-118 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AE |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 550 A |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S30DFH10B0 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30DFH10B0F | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| S30DFH12A0 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30DFH12A0F | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30DFH12B0 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30DFH12B0F | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30DFH14A0 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30DFH14A0F | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30DFH14B0 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30DFH14B0F | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
