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S29GL256N10FAI012

更新时间： 2024-02-17 04:05:42

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飞索 - SPANSION		闪存
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100页	2678K
描述
3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology

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S29GL256N10FAI012 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	13 X 11 MM, FBGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.33
最长访问时间：	100 ns	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
JESD-609代码：	e0	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	256
端子数量：	64	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA64,8X8,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
页面大小：	8/16 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.4 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

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S29GL-N

MirrorBit™ Flash Family

S29GL512N, S29GL256N, S29GL128N

512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit,

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring

110 nm MirrorBit™ Process Technology

Data Sheet

Notice to Readers: This document states the current technical specifications

regarding the Spansion product(s) described herein. Spansion Inc. deems the

products to have been in sufficient production volume such that subsequent

versions of this document are not expected to change. However, typographical

or specification corrections, or modifications to the valid combinations offered

may occur.

Publication Number S29GL-N_00 Revision B Amendment 3 Issue Date October 13, 2006

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S29GL256N10FAI12	SPANSION	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-64	获取价格
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