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S29CD032J0JFFM002

更新时间: 2024-01-04 08:44:23
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飞索 - SPANSION /
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76页 1861K
描述
32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mode Flash Memory with VersatileI/O

S29CD032J0JFFM002 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:LBGA, BGA80,8X10,40
针数:80Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.26最长访问时间:54 ns
其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK启动块:TOP
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PBGA-B80
JESD-609代码:e1长度:13 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:32湿度敏感等级:3
功能数量:1部门数/规模:16,62
端子数量:80字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA封装等效代码:BGA80,8X10,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:1.8/2.6,2.6 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.4 mm
部门规模:2K,16K最大待机电流:0.00006 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):2.75 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:11 mm

S29CD032J0JFFM002 数据手册

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D a t a S h e e t ( P r e l i m i n a r y )  
74  
S29CD-J & S29CL-J Flash Family  
S29CD-J_CL-J_00_B1 September 27, 2006  

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