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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LBGA, BGA80,8X10,40 |
| 针数： | 80 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.03 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 54 ns | 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B80 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 32 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 16,62 | 端子数量： | 80 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX32 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA80,8X10,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.8/2.6,2.6 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 部门规模： | 2K,16K |
| 最大待机电流： | 0.00006 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.75 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| S29CD032J0JFFM020 | CYPRESS | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, BGA-80 |
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| S29CD032J0JFFM023 | SPANSION | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
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| S29CD032J0JFFM030 | CYPRESS | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, BGA-80 |
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| S29CD032J0JFFM033 | SPANSION | 32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mod |
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| S29CD032J0JFFM100 | SPANSION | 32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mod |
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| S29CD032J0JFFM102 | SPANSION | 32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mod |
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