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S29CD016J0MFFI010

更新时间： 2024-01-07 07:46:55

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
86页	1342K
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Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, BGA-80

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S29CD016J0MFFI010 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LBGA, BGA80,8X10,40	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	54 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B80	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	16,30	端子数量：	80
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA80,8X10,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/2.6,2.6 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.4 mm
部门规模：	2K,16K	最大待机电流：	0.00006 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.75 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

S29CD016J0MFFI010 数据手册

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S29CD032J

S29CD016J

S29CL032J

S29CL016J

2. Input/Output Descriptions and Logic Symbols

Table identifies the input and output package connections provided on the device.

Symbol

Type

Description

Address lines for S29CD-J and S29CL-J (A18-A0 for 16 Mb and A19-A0 for 32 Mb).

A9 supports 12V autoselect input.

A19-A0

Input

DQ31-DQ0

CE#

I/O

Input

Data input/output

Chip Enable. This signal is asynchronous relative to CLK for the burst mode.

OE#

Input

Output Enable. This signal is asynchronous relative to CLK for the burst mode.

WE#

V_CC

Input

Write Enable

Supply

No Connect

Device Power Supply. This signal is asynchronous relative to CLK for the burst mode.

VersatileI/O^TMInput.

V_IO

V_SS

Ground

Not connected internally

Ready/Busy output and open drain which require a external pull up resistor.

When RY/BY# = V_OH, the device is ready to accept read operations and commands.

When RY/BY# = V_OL, the device is either executing an embedded algorithm or the

device is executing a hardware reset operation.

RY/BY#

Output

Clock Input that can be tied to the system or microprocessor clock and provides the

fundamental timing and internal operating frequency.

CLK

Input

Load Burst Address input. Indicates that the valid address is present on the address

inputs.

ADV#

End of burst indicator for finite bursts only. IND is low when the last word in the burst

sequence is at the data outputs.

IND#

WAIT#

WP#

Output

Input

Provides data valid feedback only when the burst length is set to continuous.

Write Protect Input. At V_IL, disables program and erase functions in two outermost

sectors of the large bank.

Acceleration input. At V_HH, accelerates erasing and programming. When not used for

ACC

Input

acceleration, ACC = V_SSor V_CC

RESET#

Hardware Reset.

Document Number: 002-00948 Rev. *A

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