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S29CD016J0MFFI010

更新时间: 2024-01-03 00:57:38
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
86页 1342K
描述
Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, BGA-80

S29CD016J0MFFI010 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:LBGA, BGA80,8X10,40Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.04Is Samacsys:N
最长访问时间:54 ns其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B80JESD-609代码:e1
长度:13 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:32
湿度敏感等级:3功能数量:1
部门数/规模:16,30端子数量:80
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA80,8X10,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8/2.6,2.6 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.4 mm
部门规模:2K,16K最大待机电流:0.00006 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):2.75 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:11 mm
Base Number Matches:1

S29CD016J0MFFI010 数据手册

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S29CD032J  
S29CD016J  
S29CL032J  
S29CL016J  
3. Block Diagram  
VCC  
VSS  
DQmaxDQ0  
Erase Voltage  
Generator  
Input/Output  
Buffers  
VIO  
WE#  
RESET#  
State  
ACC  
WP#  
Control  
Command  
Register  
PGM Voltage  
Generator  
Data  
Latch  
Chip Enable  
Output Enable  
Logic  
CE#  
OE#  
Y-Decoder  
X-Decoder  
Y-Gating  
VCC  
Detector  
Timer  
Cell Matrix  
Burst  
State  
Control  
Burst  
Address  
Counter  
ADV#  
CLK  
IND/  
WAIT#  
Amax-A0  
Amax-A0  
Note  
Address bus is A19–A0 for 32 Mb device, A18–A0 for 16 Mb device. Data bus is D31–DQ0.  
Document Number: 002-00948 Rev. *A  
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