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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, BGA80,8X10,40 | 针数： | 80 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.02 |
| 最长访问时间： | 54 ns | 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK |
| 启动块： | TOP | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B80 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 32 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 16,30 | 端子数量： | 80 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX32 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA80,8X10,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8/2.6,2.6 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 部门规模： | 2K,16K | 最大待机电流： | 0.00006 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.09 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.75 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| S29CD016J0MFFI102 | SPANSION | 32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mod |
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|
| S29CD016J0MFFI103 | SPANSION | 32/16 Megabit CMOS 2.6 Volt or 3.3 Volt-only Simultaneous Read/Write, Dual Boot, Burst Mod |
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| S29CD016J0MFFI110 | CYPRESS | Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, BGA-80 |
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| S29CD016J0MFFI112 | SPANSION | Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
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| S29CD016J0MFFI122 | CYPRESS | Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, BGA-80 |
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|
| S29CD016J0MFFI123 | CYPRESS | Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, BGA-80 |
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