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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> S2800D-BV
S2800D-BV PDF预览

S2800D-BV

更新时间： 2024-11-16 13:13:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 可控硅
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
10A, 400V, SCR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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S2800D-BV 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.66外壳连接：ANODE
标称电路换相断开时间：25 µs配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：15 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：20 mAJESD-30 代码：R-PSFM-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：10 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

S2800D-BV 数据手册

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by S2800/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Reverse Blocking Triode Thyristors  
. . . designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls,  
heating controls and power supplies; or wherever half-wave silicon gate-controlled,  
solid-state devices are needed.  
SCRs  
10 AMPERES RMS  
50 thru 800 VOLTS  
•
•
•
Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity  
and Stability  
Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat  
Dissipation and Durability  
Blocking Voltage to 800 Volts  
G
A
K
CASE 221A-04  
(TO-220AB)  
STYLE 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Volts  
(1)  
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage  
V
RRM  
V
DRM  
(T = 25 to 100°C, Gate Open)  
J
F
50  
A
B
D
M
N
100  
200  
400  
600  
800  
S2800  
Peak Non-repetitive Reverse Voltage and  
Non-Repetitive Off-State Voltage  
V
RSM  
V
DSM  
Volts  
(1)  
F
75  
A
B
D
M
N
125  
250  
500  
700  
900  
S2800  
RMS Forward Current  
(All Conduction Angles)  
I
10  
Amps  
Amps  
T(RMS)  
T
C
= 75°C  
Peak Forward Surge Current (1 Cycle, Sine Wave, 60 Hz, T = 80°C)  
I
100  
40  
C
TSM  
2
I t  
2
A s  
Circuit Fusing Considerations (t = 8.3 ms)  
Forward Peak Gate Power (t  
Forward Average Gate Power  
10 µs)  
P
16  
Watts  
Watt  
°C  
GM  
P
0.5  
G(AV)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
–40 to +100  
–40 to +150  
J
T
°C  
stg  
1. V  
and V  
for alltypes canbe appliedon a continuous basis. Ratings apply for zeroor negativegate voltage;however, positivegate  
RRM  
DRM  
voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current  
source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.  
Motorola, Inc. 1995  
1234

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与S2800D-BV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S2800D-C MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
S2800D-DW MOTOROLA

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 		10A, 400V, SCR, TO-220AB
S2800D-N MOTOROLA

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 		10A, 400V, SCR, TO-220AB
S2800D-S MOTOROLA

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 		10A, 400V, SCR, TO-220AB
S2800D-U MOTOROLA

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 		10A, 400V, SCR, TO-220AB
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