S2800B-AD

更新时间： 2024-11-16 13:13:07

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摩托罗拉 - MOTOROLA		可控硅
页数	文件大小	规格书
4页	79K
描述
10A, 200V, SCR, TO-220AB

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S2800B-AD 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	25 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	15 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	20 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	10 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

S2800B-AD 数据手册

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by S2800/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Reverse Blocking Triode Thyristors

. . . designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls,

heating controls and power supplies; or wherever half-wave silicon gate-controlled,

solid-state devices are needed.

SCRs

10 AMPERES RMS

50 thru 800 VOLTS

•

Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity

and Stability

Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat

Dissipation and Durability

Blocking Voltage to 800 Volts

CASE 221A-04

(TO-220AB)

STYLE 3

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

Value

Unit

Volts

(1)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage

RRM

DRM

(T = 25 to 100°C, Gate Open)

100

200

400

600

800

S2800

Peak Non-repetitive Reverse Voltage and

Non-Repetitive Off-State Voltage

RSM

DSM

Volts

(1)

125

250

500

700

900

S2800

RMS Forward Current

(All Conduction Angles)

Amps

T(RMS)

= 75°C

Peak Forward Surge Current (1 Cycle, Sine Wave, 60 Hz, T = 80°C)

100

TSM

I t

A s

Circuit Fusing Considerations (t = 8.3 ms)

Forward Peak Gate Power (t

Forward Average Gate Power

10 µs)

Watts

Watt

°C

0.5

G(AV)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

–40 to +100

–40 to +150

°C

stg

1. V

and V

for alltypes canbe appliedon a continuous basis. Ratings apply for zeroor negativegate voltage;however, positivegate

RRM

DRM

voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current

source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1995

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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S2800B-AS	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
S2800B-BC	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
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