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S21100

更新时间: 2024-11-20 22:22:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 132K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

S21100 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.53
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:22 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

S21100 数据手册

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