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S1M-TP

更新时间： 2024-11-21 20:03:55

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	227K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

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S1M-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	SMB, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	2 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

S1M-TP 数据手册

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS

USE S1A-LTP~S1M-LTP SERIES

S1A

THRU

S1M

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

F_•eatures

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

For Surface Mount Applications

•

1 Amp

Silicon Rectifier

50 to 1000 Volts

Extremely Low Thermal Resistance

Easy Pick And Place

High Temp Soldering: 260°C for 10 Seconds At Terminals

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

DO-214AA

(SMB) (Round Lead)

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead

Cathode Band

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

S1A

S1B

S1D

S1G

S1J

S1A

S1B

S1D

S1G

S1J

35V

70V

100V

200V

100V

200V

140V

280V

420V

560V

700V

400V

600V

400V

600V

S1K

S1M

S1K

S1M

800V

1000V

800V

1000V

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.116

.089

.008

.02

MAX

2.95

2.25

.20

NOTE

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

.078

.075

.002

-----

1.98

1.90

.05

Average Forward

current

I_F(AV)

1.0A

T_J= 100°C

-----

.90

.51

.035

.065

.205

.160

.130

.055

.091

.224

.180

.155

1.40

2.32

5.69

4.57

3.94

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

30A

8.3ms, half sine,

1.65

5.21

4.06

3.30

Maximum

I_FM= 1.0A;

T_J= 25°C*

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

1.1V

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.090"

I_R

5µA

50µA

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Typical Junction

Capacitance

C_J

12pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

0.085”

Maximum Reverse

Recovery Time

T_rr

I_F= 0.5A;I_R= 1.0A;

I_rr= 0.25A;

2.0µs

0.070”

*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%

Note: 1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

Revision: B

2011/11/01

1 of 4

12 3 4

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与S1M-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S1MU	DYELEC	获取价格	1.0 AMP SURFACE MOUNT PASSIVATED RECTIFIERS
S1MWF	DIODES	获取价格	1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S1MWF-7	DIODES	获取价格	1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S1MWFM	DIODES	获取价格	1.0A SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY RECTIFIER
S1N	DIODES	获取价格	1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S1N1RP	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, 3 LEAD
S1N3016	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 20%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, HERMETIC SEALED, METAL GL
S1N3016AE3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, HERMETIC SEALED, METAL GL
S1N3016B	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, HERMETIC SEALED, METAL GLA
S1N3016BE3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, HERMETIC SEALED, METAL GLA

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