5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > S1M-TP
S1M-TP PDF预览

S1M-TP

更新时间： 2024-09-27 20:03:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 227K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

S1M-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AA
包装说明：SMB, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

S1M-TP 数据手册

 浏览型号S1M-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号S1M-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号S1M-TP的Datasheet PDF文件第4页 
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS  
USE S1A-LTP~S1M-LTP SERIES  
S1A  
THRU  
S1M  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
F•eatures  
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
For Surface Mount Applications  
•
•
•
•
·
1 Amp  
Silicon Rectifier  
50 to 1000 Volts  
Extremely Low Thermal Resistance  
Easy Pick And Place  
High Temp Soldering: 260°C for 10 Seconds At Terminals  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
·
Maximum Ratings  
DO-214AA  
(SMB) (Round Lead)  
•
•
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead  
H
Cathode Band  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
50V  
Maximum Maximum  
J
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
50V  
S1A  
S1B  
S1D  
S1G  
S1J  
S1A  
S1B  
S1D  
S1G  
S1J  
35V  
70V  
A
C
100V  
200V  
100V  
200V  
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
E
D
B
400V  
600V  
400V  
600V  
F
G
S1K  
S1M  
S1K  
S1M  
800V  
1000V  
800V  
1000V  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
MIN  
DIM  
A
MAX  
.116  
.089  
.008  
.02  
MAX  
2.95  
2.25  
.20  
NOTE  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
.078  
.075  
.002  
-----  
1.98  
1.90  
.05  
B
Average Forward  
current  
IF(AV)  
1.0A  
TJ = 100°C  
C
D
E
-----  
.90  
.51  
.035  
.065  
.205  
.160  
.130  
.055  
.091  
.224  
.180  
.155  
1.40  
2.32  
5.69  
4.57  
3.94  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
30A  
8.3ms, half sine,  
F
1.65  
5.21  
4.06  
3.30  
G
H
J
Maximum  
IFM = 1.0A;  
TJ = 25°C*  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
VF  
1.1V  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.090"  
IR  
5µA  
50µA  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
12pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
0.085”  
Maximum Reverse  
Recovery Time  
Trr  
IF = 0.5A;IR = 1.0A;  
Irr = 0.25A;  
2.0µs  
0.070”  
*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
Note: 1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
Revision: B  
2011/11/01  
1 of 4  
1234

中文翻译

下载PDF

与S1M-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S1MU DYELEC

获取价格

 		1.0 AMP SURFACE MOUNT PASSIVATED RECTIFIERS
S1MWF DIODES

获取价格

 		1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S1MWF-7 DIODES

获取价格

 		1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S1MWFM DIODES

获取价格

 		1.0A SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY RECTIFIER
S1N DIODES

获取价格

 		1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S1N1RP LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, 3 LEAD
S1N3016 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 6.8V V(Z), 20%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, HERMETIC SEALED, METAL GL
S1N3016AE3 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, HERMETIC SEALED, METAL GL
S1N3016B MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, HERMETIC SEALED, METAL GLA
S1N3016BE3 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13, HERMETIC SEALED, METAL GLA

与S1M-TP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证