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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> S16KSD2
S16KSD2 PDF预览

S16KSD2

更新时间： 2024-02-15 22:37:07
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes - Half Bridge

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S16KSD2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.21Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

S16KSD2 数据手册

 浏览型号S16KSD2的Datasheet PDF文件第2页 
S16ASD2 ... S16MSD2  
S16ASD2 ... S16MSD2  
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes – Half Bridge  
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage– Halbbrücke  
Version 2010-09-22  
Nominal current  
Nennstrom  
16 A  
1.2  
10.25±0.5  
4.5±0.2  
4
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50...1000 V  
Type  
Typ  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
TO-263AB  
D2PAK  
1
2
3
1.3  
0.8  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
1.6 g  
5.08  
0.4  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
1
2
3
4
Standard packaging in tubes  
Standard Lieferform in Stangen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V] 1)  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V] 1)  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] 1), Tj = 25°C  
IF = 5 A  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
IF = 8 A  
< 1.1  
< 1.1  
< 1.1  
< 1.1  
< 1.1  
< 1.1  
< 1.1  
S16ASD2  
S16BSD2  
S16DSD2  
S16GSD2  
S16JSD2  
S16KSD2  
S16MSD2  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Max. average forward current, R-load  
Dauergrenzstrom mit R-Last  
TC = 100°C  
TC = 100°C  
IFAV  
IFAV  
8 A 1)  
16 A 2)  
30 A 3)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFRM  
IFSM  
i2t  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
135/150 A 1)  
90 A2s 1)  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
-50...+150°C  
-50...+175°C  
Tj  
TS  
1
Per diode – Pro Diode  
2
Output current when operating two devices in a full bridge configuration  
Ausgangsstrom bei Betrieb zweier Bauteile als Vollbrücke  
3
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
12

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S16KSD2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
S16ASD2 DIOTEC

完全替代

 Surface Mount Silicon Rectifier Diodes - Half Bridge
S16BSD2 DIOTEC

完全替代

 Surface Mount Silicon Rectifier Diodes - Half Bridge
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完全替代

 Surface Mount Silicon Rectifier Diodes - Half Bridge

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S16L60 SHINDENGEN

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 		Super Fast Recovery Rectifiers(600V 16A)
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