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S10420-1104-01

更新时间： 2024-01-27 02:48:48
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
10页 265K
描述
CCD Sensor, 2048 Horiz pixels, 16 Vert pixels, Rectangular, Through Hole Mount, DIP-24

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S10420-1104-01 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
主体宽度：10.41 mm主体高度：3.3 mm
主体长度或直径：38.1 mm水平像素：2048
外壳：CERAMIC安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：50 °C最低工作温度：-50 °C
封装形状/形式：RECTANGULAR像素大小：14X14 µm
灵敏度（V / lx.s）：6.5 V/lx.s传感器/换能器类型：IMAGE SENSOR,CCD
光谱响应 (nm)：200-1100表面贴装：NO
端接类型：SOLDER垂直像素：16
Base Number Matches：1

S10420-1104-01 数据手册

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CCD image sensors  
S11071/S10420-01 series  
Electrical characteristics (Ta=25 °C)  
S11071 series  
S10420-01 series  
Parameter  
Symbol  
fc  
Unit  
MHz  
Min.  
Typ.  
5
Max.  
10  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
Min.  
Typ.  
0.25  
200  
600  
400  
1200  
80  
Max.  
0.5  
-
Signal output frequency*5  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1004(-01)  
-1006(-01)  
-1104(-01)  
-1106(-01)  
200  
600  
400  
1200  
80  
160  
10  
10  
-
-
-
-
-
-
-
-
Vertical shift register  
capacitance  
pF  
CP1V, CP2V  
-1004(-01)/-1006(-01)  
-1104(-01)/-1106(-01)  
Horizontal shift register  
capacitance  
CP1H, CP2H  
CP3H, CP4H  
pF  
160  
10  
10  
30  
60  
Summing gate capacitance  
Reset gate capacitance  
pF  
pF  
CSG  
CRG  
-1004(-01)/-1006(-01)  
-1104(-01)/-1106(-01)  
30  
60  
Transfer gate capacitance  
pF  
CTG  
-
-
Charge transfer efficiency*6  
DC output level*5  
Output impedance*5  
Power consumption*5 *7  
CTE  
Vout  
Zo  
0.99995 0.99999  
0.99995 0.99999  
-
V
kΩ  
mW  
7
-
-
8
0.3  
75  
17  
-
18  
10  
4
19  
-
P
-
-
*5: The values depend on the load resistance. (S11071 series: VOD=15 V, RL=2.2 kΩ, S10420-01 series: VOD=24 V, RL=100 kΩ)  
*6: Charge transfer efficiency per pixel, measured at half of the full well capacity  
*7: Power consumption of the on-chip amplifier plus load resistance  
Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C, unless otherwise noted)  
S11071 series  
Typ.  
S10420-01 series  
Min. Typ. Max.  
Parameter  
Saturation output voltage  
Symbol  
Vsat  
Unit  
V
Min.  
Max.  
-
-
-
9
500  
28  
-
-
50  
150  
7
-
-
Fw Sv  
×
-
50  
250  
5.5  
-
Fw Sv  
×
-
-
-
Vertical  
Horizontal  
60  
200  
8
50  
23  
60  
300  
6.5  
Full well capacity  
Fw  
ke-  
CCD node sensitivity*8  
Dark current*9  
Readout noise*10  
Dynamic range*11  
Sv  
DS  
Nr  
7.5  
500  
15  
-
μV/e-  
e-/pixel/s  
e- rms  
-
50  
-
6
Line binning  
DR  
6520  
8700  
41700  
50000  
200 to  
1100  
±3  
200 to  
1100  
±3  
Spectral response range  
λ
-
-
-
-
-
-
nm  
%
Photoresponse nonuniformity*12  
PRNU  
±10  
±10  
*8: The values depend on the load resistance. (S11071 series: VOD=15 V, RL=2.2 kΩ, S10420-01 series: VOD=24 V, RL=100 kΩ)  
*9: Dark current is reduced to half for every 5 to 7 °C decrease in temperature.  
*10: S11071 series (temperature: 25 °C): fc=2 MHz, S10420-01 series (temperature: -40 °C): fc=20 kHz  
*11: Dynamic range = Full well capacity / Readout noise  
*12: Measured at one-half of the saturation output (full well capacity) using LED light (peak emission wavelength: 660 nm)  
Fixed pattern noise (peak to peak)  
Photoresponse nonuniformity =  
× 100 [%]  
Signal  
3
1234567...10

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与S10420-1104-01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S10420-1106 HAMAMATSU

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 		CCD Sensor, 1536 Horiz pixels, 128 Vert pixels, 5-11V, Rectangular, Through Hole Mount, CE
S10420-1106-01 HAMAMATSU

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 		CCD Sensor, 2048 Horiz pixels, 64 Vert pixels, Rectangular, Through Hole Mount, DIP-24
S10420-1106NU-01 HAMAMATSU

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