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S-24CS04AFJ-TB-G

更新时间: 2024-02-02 03:40:42
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精工 - SII 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
47页 682K
描述
2-WIRE CMOS SERIAL E2PROM

S-24CS04AFJ-TB-G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VFBGA,
针数:5Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.83最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz
JESD-30 代码:R-PBGA-B5长度:1.66 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:5字数:512 words
字数代码:512工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.6 mm串行总线类型:I2C
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):1.6 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.5 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:10
宽度:1.21 mmBase Number Matches:1

S-24CS04AFJ-TB-G 数据手册

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2-WIRE CMOS SERIAL E2PROM  
S-24CS01A/02A/04A/08A  
Rev.4.4_00  
„ DC Electrical Characteristics  
Table 9  
40 to  
+
85  
°
C
+85 to +105°C  
VCC=4.5 to 5.5 V  
f = 400 kHz  
VCC=2.7 to 4.5 V*1  
f = 100 kHz  
VCC=1.8 to 2.7 V  
f = 100 kHz  
VCC=4.5 to 5.5 V  
f = 350 kHz  
Item  
Symbol Conditions  
Unit  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
Current  
consumption  
(READ)  
ICC1  
mA  
mA  
0.8  
0.3  
0.2  
0.8  
Current  
consumption  
ICC2  
4.0  
1.5  
4.0  
(WRITE)  
*1. VCC=2.55 to 4.5 V in Write  
Table 10  
40 to  
+
85  
°
C
+85 to +105°C  
Item  
Symbol  
ISB  
Conditions  
Unit  
VCC=4.5 to 5.5 V VCC=2.55 to 4.5 V VCC=1.8 to 2.55 V VCC=4.5 to 5.5 V  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
Standby current  
VIN  
VIN  
VOUT  
IOL  
IOL  
=
VCC or GND  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
µA  
consumption  
Input leakage current  
Output leakage current  
ILI  
ILO  
0.1 1.0  
0.1 1.0  
0.1 1.0  
0.1 1.0  
0.1 1.0  
0.1 1.0  
0.1 1.0  
0.1 1.0  
=GND to VCC  
µA  
=
GND to VCC  
µA  
0.4  
0.3  
0.4  
0.3  
0.4  
0.3  
V
=
3.2 mA  
0.5  
Low level output voltage  
VOL  
V
=1.5 mA  
Current address hold  
voltage  
VAH  
1.5  
5.5 1.5  
4.5 1.5  
2.55 1.5  
5.5  
V
6
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