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RXT-A28T200

更新时间: 2024-11-25 15:50:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

RXT-A28T200 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.78
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A基于收集器的最大容量:8 pF
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):10000JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

RXT-A28T200 数据手册

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