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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> RURP8100
RURP8100 PDF预览

RURP8100

更新时间： 2024-11-24 22:17:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
5页 136K
描述
8A, 1000V Ultrafast Diodes

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RURP8100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：R-PSFM-T2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.53
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.5 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.1 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RURP8100 数据手册

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MUR8100E, RURP8100  
Data Sheet  
December 2002  
8A, 1000V Ultrafast Diodes  
Features  
The MUR8100E and RUR8100 are ultrafast diodes  
• Ultrafast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . <75ns  
(t < 75ns) with soft recovery characteristics. They have a  
low forward voltage drop and are of planar, silicon nitride  
passivated, ion-implanted, epitaxial construction.  
rr  
o
• Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .175 C  
• Reverse Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1000V  
• Avalanche Energy Rated  
These devices are intended for use as energy steering/  
clamping diodes and rectifiers in a variety of switching power  
supplies and other power switching applications. Their low  
stored charge and ultrafast recovery with soft recovery  
characteristics minimize ringing and electrical noise in many  
power switching circuits, thus reducing power loss in the  
switching transistor.  
• Planar Construction  
Applications  
• Switching Power Supply  
• Power Switching Circuits  
• General Purpose  
Formerly developmental type TA09617.  
Ordering Information  
Packaging  
JEDEC TO-220AC  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-220AC  
TO-220AC  
BRAND  
MU8100  
RURP8100  
MUR8100E  
ANODE  
CATHODE  
RURP8100  
CATHODE  
(FLANGE)  
NOTE: When ordering, use entire part number.  
Symbol  
K
A
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
MUR8100E  
RURP8100  
UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
1000  
V
V
V
A
RRM  
Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
1000  
RWM  
DC Blocking Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V  
1000  
R
Average Rectified Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
8
F(AV)  
o
(T = 155 C)  
C
Repetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
(Square Wave 20kHz)  
16  
A
A
FRM  
FSM  
Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
(Halfwave 1 Phase 60Hz)  
100  
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P  
75  
20  
W
D
Avalanche Energy (See Figures 10 and 11) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E  
mJ  
AVL  
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
, T  
-55 to 175  
C
STG  
J
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
MUR8100E, RURP8100 Rev. B1  
12345

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RURP8100 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
APT15D100KG MICROSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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RURP810CC ROCHESTER

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 		8A, 200V Ultrafast Diodes
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 		8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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