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RUH1H150R-A

更新时间： 2024-04-09 19:00:21

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RUH1H150R-A 数据手册

RUH1H150R-A

ypi

cal Character stics

l Ch

t i

Drain-Source On Resistance

Output Characteristics

200

150

100

10V

V_GS=10V

120

150

I_D- Drain Current (A)

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Transfer Characteristics

Source-Drain Diode Forward

600

500

400

300

200

100

T_J=125°C

=175°C

T_J=25°C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

V_SD- Source-Drain Voltage (V)

VGS, Gate -Source Voltage (V)

Capacitance

Gate Charge

6000

5000

4000

3000

2000

1000

Frequency=1.0MHz

_DS

=80V

I_DS=75A

Ciss

Coss

Crss

100

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Q_G- Gate Charge (nC)

Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. A– NOV., 2023

www.ruichips.com

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