RT3T66M

更新时间： 2024-09-21 03:29:43

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谏早电子 - ISAHAYA		晶体晶体管
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3页	56K
描述
Composite Transistor With Resistor

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RT3T66M 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

RT3T66M 数据手册

PRELIMINARY

RT3T66M

Composite Transistor With Resistor

For Switching Application

Silicon Epitaxial Type

OUTLINE DRAWING

Unit：mm

DESCRIPTION

RT3T66M is a composite transistor built with RT1N430

chip and RT1P430 chip in SC-88 package.

2.1

1.25

FEATURE

①

⑥

Silicon epitaxial type

②

③

⑤

④

Each transistor elements are independent.

Mini package for easy mounting

APPLICATION

Inverted circuit, switching circuit,

interface circuit, driver circuit

⑥

④

⑤

TERMINAL

CONNECTOR

①：EMITTER1

②：BASE1

RTr1

③：COLLECTOR2

④：EMITTER2

⑤：BASE2

RTr2

⑥:COLLECTOR1

JEITA：SC-88

①

②

③

MAXIMUM RATING (Ta=25

℃)

SYMBOL

V_CBO

V_EBO

V_CEO

I_C

PARAMETER

RATING

UNIT

MARKING

Collector to Base voltage

Emitter to Base voltage

Collector to Emitter voltage

Collector current

100

℃

T 6 6

Peak Collector current

Collector dissipation（Total, Ta=25℃）

Junction temperature

200

I_CM

150

P_C

＋150

-55～＋150

T_j

１

℃

Storage temperature

T_stg

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

12 3

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