RT3WLMM

更新时间： 2024-09-21 03:16:43

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谏早电子 - ISAHAYA		晶体晶体管
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描述
Composite Transistor

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RT3WLMM 数据手册

PRELIMINARY

RT3WLMM

Composite Transistor

For Low Frequency Amplify Application

Silicon Epitaxial Type

OUTLINE DRAWING

Unit：mm

DESCRIPTION

RT3WLMM is

a composite transistor built with

2.1

2SC3052 chip and 2SA1235A chip in SC-88 package.

1.25

FEATURE

Silicon epitaxial type

①

②

③

⑥

⑤

④

Each transistor elements are independent.

Mini package for easy mounting

APPLICATION

For low frequency amplify application

TERMINAL

CONNECTOR

①：EMITTER1

②：BASE1

Tr1

③：COLLECTOR2

④：EMITTER2

⑤：BASE2

Tr2

⑥：COLLECTOR1

JEITA：SC-88

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

RATING

MARKING

SYMBOL

PARAMETER

UNIT

Tr1

Tr2

Collector to Base voltage

Emitter to Base voltage

Collector to Emitter voltage

Collector current

CBO

EBO

CEO

200

150

℃

Collector dissipation（Ta=25℃）

Junction temperature

Storage temperature

P （Total）

＋125

１

-55～＋125

℃

stg

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

12 3 4 5

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