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RT2A00AM1E

更新时间： 2025-07-28 21:16:19

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描述
Transistor

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RT2A00AM1E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

RT2A00AM1E 数据手册

RT2A00AM1

COMPOSITE TRANSISTOR

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION

SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

OUTLINE DRAWING

Unit:mm

DESCRIPTION

2.1

RT2A00M is a composite transistor built with two 2SA1602A chips in

SC-88 package.

1.25

①

⑤

④

FEATURE

●Silicon pnp epitaxial type

Each transistor elements are independent.

●Mini package for easy mounting

②

③

APPLICATION

For low frequency amplify application

⑤

④

TERMINAL CONNECTOR

①：BASE１

②：EMITTER（COMMON）

③：BASE２

Tr1

Tr2

④：COLLECTOR２

⑤：COLLECTOR１

JEITA：－

JEDEC：－

①

②

③

MAXIMUM RATINGS （Ta=25℃）（Tr1、Tr2）

Symbol

V_CBO

Parameter

Collector to Base voltage

Emitter to Base voltage

Collector to Emitter voltage

Collector current

Ratings

-60

Unit

MARKING

⑤

④

V_EBO

V_CEO

I _C

-6

-50

-200

℃

P_C

Collector dissipation（Total Ta=25℃）

Junction temperature

150

TYPE NAME

hFE ITEM

T_j

＋125

-55～＋125

①

② ③

T_stg

Storage temperature

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RT2A00AM1F	ISAHAYA	获取价格	Transistor
RT2A00M	ISAHAYA	获取价格	COMPOSITE TRANSISTOR FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
RT2A00ME	ISAHAYA	获取价格	Transistor
RT2A00MF	ISAHAYA	获取价格	Transistor
RT2A010MC110A00CE0	HWE	获取价格	小型铝电
RT2A100MC110*CE0	HWE	获取价格	系列: RT; 额定电压(V): 100; 静电容量(μF): 1; 直径(mm): 5;
RT2A100ME110*CE0	HWE	获取价格	系列: RT; 额定电压(V): 100; 静电容量(μF): 10; 直径(mm): 6
RT2A100ME110A00CE0	HWE	获取价格	小型铝电
RT2A101MG250*CE0	HWE	获取价格	系列: RT; 额定电压(V): 100; 静电容量(μF): 100; 直径(mm):
RT2A101MG250A00CE0	HWE	获取价格	小型铝电