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RSS065N06TB

更新时间： 2024-09-30 19:43:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 99K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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RSS065N06TB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.048 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RSS065N06TB 数据手册

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RSS065N06  
Transistors  
4V Drive Nch MOSFET  
RSS065N06  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel MOSFET  
SOP8  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
2) Built-in G-S Protection Diode.  
3) Small Surface Mount Package (SOP8).  
zApplication  
Each lead has same dimensions  
Switching  
zPackaging specifications  
zEquivalent circuit  
(8)  
(7)  
(6)  
(5)  
(8) (7) (6) (5)  
Package  
Taping  
TB  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
RSS065N06  
∗2  
(1) (2) (3) (4)  
∗1  
(1)Source  
(2)Source  
(3)Source  
(4)Gate  
(5)Drain  
(6)Drain  
(7)Drain  
(8)Drain  
(1)  
(2)  
(3)  
(4)  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
∗A protection diode is included between the gate and  
the source terminals to protect the diode against static  
electricity when the product is in use. Use the protection  
circuit when the fixed voltages are exceeded.  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
Unit  
60  
V
V
20  
Continuous  
Pulsed  
6.5  
A
Drain current  
∗
1
1
IDP  
26  
1.6  
A
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
Pulsed  
IS  
A
∗
ISP  
26  
A
∗2  
Total power dissipatino  
Channel temperature  
PD  
2.0  
W
°C  
°C  
Tch  
Tstg  
150  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%  
∗
2 Mounted on a ceramic board.  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
62.5  
Unit  
∗
Channel to ambient  
Mounted on a ceramic board.  
Rth (ch-A)  
°C / W  
∗
1/4  
12345

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