RSS085N05

更新时间： 2024-09-30 09:43:43

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罗姆 - ROHM		驱动
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4V Drive Nch MOSFET

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RSS085N05 数据手册

RSS085N05

Transistor

4V Drive Nch MOS FET

RSS085N05

Structure

External dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel

MOS FET

ÍÑÐè

ëòð

ïòéë

ðòì

Features

1) Built-in G-S Protection Diode.

2) Small and Surface Mount Package (SOP8).

ø ÷

ðòî

ïòîé

ï°·² ³¿®µ

Applications

Û¿½¸ ´»¿¼ ¸¿• •¿³» ¼·³»²•·±²•

Power switching , DC / DC converter, Inverter

Packaging dimensions

Ð¿½µ¿¹»

Ì¿°·²¹

ÌÞ

Ì§°»

Ý±¼»

Þ¿•·½ ±®¼»®·²¹ «²·¬ ø°·»½»•÷

îëðð

ÎÍÍðèëÒðë

Absolute maximum ratings (Ta=25 C)

Equivalent circuit

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

øè÷ øé÷ øê÷ øë÷

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

øè÷

øé÷

øê÷

øë÷

±8.5

±34

Continuous

Pulsed

Drain current

øï÷ øî÷ øí÷ øì÷

I_DP

øï÷ Í±«®½»

øî÷ Í±«®½»

øí÷ Í±«®½»

øì÷ Ù¿¬»

øë÷ Ü®¿·²

øê÷ Ü®¿·²

øé÷ Ü®¿·²

øè÷ Ü®¿·²

I_S

Continuous

Pulsed

1.6

Source current

(Body diode)

I_SP

øï÷

øî÷

øí÷

øì÷

Total power dissipation

Chanel temperature

P_D

^oC

ï ÛÍÜ Ð®±¬»½¬·±² Ü·±¼»ò

î Þ±¼§ Ü·±¼»ò

T_ch

150

Range of Storage temperature

*1 PW 10 Duty cycle 1

T_stg

-55 to +150

ß °®±¬»½¬·±² ¼·±¼» ·• ·²½´«¼»¼ ¾»¬©»»² ¬¸» ¹¿¬»

¿²¼ ¬¸» •±«®½» ¬»®³·²¿´• ¬± °®±¬»½¬ ¬¸» ¼·±¼»

¿¹¿·²•¬ •¬¿¬·½ »´»½¬®·½·¬§ ©¸»² ¬¸» °®±¼«½¬ ·• ·²

«•»òË•» ¿ °®±¬»½¬·±² ½·®½«·¬ ©¸»² ¬¸» º·¨»¼

ª±´¬¿¹» ¿®» »¨½»»¼»¼ò

*2 Mounted on a ceramic board

Thermal resistance

Parameter

Symbol

R_{th(ch-a) *}

Limits

62.5

Unit

^oC/W

Chanel to ambient

* Mounted on a ceramic board

1/4

12 3 4 5

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