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RSS075P03TB

更新时间： 2024-09-30 20:02:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 78K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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RSS075P03TB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.58配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RSS075P03TB 数据手册

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RSS075P03  
Transistors  
Switching (−30V, −7.5A)  
RSS075P03  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Low On-resistance.  
SOP8  
2) Built-in G-S Protection Diode.  
3) Small and Surface Mount Package (SOP8).  
3.9  
6.0  
zApplication  
Power switching, DC / DC converter.  
0.4Min.  
Each lead has same dimensions  
zStructure  
Silicon P-channel  
MOS FET  
zPackaging specifications  
zEquivalent circuit  
(8)  
(7)  
(6)  
(5)  
Package  
Taping  
TB  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
RSS075P03  
∗2  
∗1  
(1) Source  
(2) Source  
(3) Source  
(4) Gate  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(5) Drain  
(6 )Drain  
(7) Drain  
(8) Drain  
(1)  
(2)  
(3)  
(4)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
−30  
20  
Unit  
V
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
V
Continuous  
Pulsed  
7.5  
A
Drain current  
∗1  
IDP  
30  
A
IS  
−1.6  
−30  
A
Continuous  
Pulsed  
Source current  
(Body diode)  
∗1  
∗2  
ISP  
A
PD  
2.0  
W
°C  
°C  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Tch  
Tstg  
150  
Range of Storage temperature  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Mounted on a ceramic board  
−55 to +150  
zThermal resistance (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Rth (ch-a)  
Limits  
62.5  
Unit  
∗
Channel to ambient  
°C / W  
∗
Mounted on a ceramic board.  
Rev.A  
1/4  
12345

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RSS075P03TB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
RSS085N05TB ROHM

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 		暂无描述
RSS-0905 RECOM

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RSS-0905HP RECOM

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