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RSS075P03

更新时间： 2024-09-30 09:43:43

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罗姆 - ROHM		/
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5页	89K
描述
Switching (-30V,-7.5A)

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RSS075P03 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.79
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	Base Number Matches：	1

RSS075P03 数据手册

RSS075P03

Transistors

Switching (−30V, −7.5A)

RSS075P03

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low On-resistance.

SOP8

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small and Surface Mount Package (SOP8).

3.9

6.0

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

0.4Min.

Each lead has same dimensions

zStructure

Silicon P-channel

MOS FET

zPackaging specifications

zEquivalent circuit

(8)

(7)

(6)

(5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

RSS075P03

∗2

∗1

(1) Source

(2) Source

(3) Source

(4) Gate

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

(5) Drain

(6 )Drain

(7) Drain

(8) Drain

(1)

(2)

(3)

(4)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

−30

Unit

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Continuous

Pulsed

7.5

Drain current

∗1

I_DP

I_S

−1.6

−30

Continuous

Pulsed

Source current

(Body diode)

∗1

∗2

I_SP

P_D

2.0

°C

Total power dissipation

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of Storage temperature

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board

−55 to +150

zThermal resistance (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)

Limits

62.5

Unit

∗

Channel to ambient

°C / W

∗

Mounted on a ceramic board.

Rev.A

1/4

12 3 4 5

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