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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> RS1AB-13-F
RS1AB-13-F PDF预览

RS1AB-13-F

更新时间： 2024-11-21 02:54:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管PC快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 100K
描述
1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER

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RS1AB-13-F 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.51
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：274175Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes Moulded
Samacsys Footprint Name：SMASamacsys Released Date：2020-02-25 07:49:44
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.15 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

RS1AB-13-F 数据手册

 浏览型号RS1AB-13-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RS1AB-13-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: RS1A RS1B RS1D RS1G RS1J RS1K RS1M RS1AB RS1BB RS1DB RS1GB RS1JB RS1KB RS1MB  
RS1A/B - RS1M/B  
1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Fast Recovery Time For High Efficiency  
Surge Overload Rating to 30A Peak  
Ideally Suited for Automated Assembly  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note 4)  
B
SMA  
Min  
SMB  
Min  
Dim  
Max  
2.92  
4.60  
1.63  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.30  
Max  
3.94  
4.57  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.40  
A
J
2.29  
4.00  
1.27  
0.15  
4.80  
0.10  
0.76  
2.01  
3.30  
4.06  
1.96  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
A
B
C
D
E
G
H
J
C
D
Mechanical Data  
·
Case: SMA/SMB  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish).  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking Information: See Page 3  
e
3
G
H
·
·
·
·
·
E
Ordering Information: See Page 3  
A, B, D, G, J, K, M Suffix Designates SMA Package  
AB, BB, DB, GB, JB, KB, MB Suffix Designates SMB Package  
SMA Weight: 0.064 grams (approximate)  
SMB Weight: 0.093 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
RS1  
A/AB  
RS1  
B/BB  
RS1  
RS1  
RS1  
J/JB  
RS1  
RS1  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
D/DB G/GB  
K/KB M/MB  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage (Note 5)  
50  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
35  
280  
1.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 120°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,  
IFSM  
VFM  
IRM  
30  
A
V
8.3ms single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
Forward Voltage Drop  
@ IF = 1.0A  
1.3  
5.0  
200  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 5)  
@ TA 25°C  
@ TA = 125°C  
=
µA  
trr  
CT  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
Typical Total Capacitance (Note 2)  
150  
250  
500  
ns  
pF  
15  
20  
RqJT  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Reverse recovery test conditions: I = 0.5A, I = 1.0A, I = 0.25A. See figure 5.  
rr  
F
R
4. RoHS revision 13.2.2003. Glass and high temperature solder exemptions applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
DS15002 Rev. 11 - 2  
1 of 3  
RS1A/B - RS1M/B  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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