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RP231027E

更新时间: 2024-11-25 19:14:03
品牌 Logo 应用领域
理光 - RICOH 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 68K
描述
MASK ROM, 128KX8, 200ns, NMOS, PDIP28

RP231027E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.29最长访问时间:200 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-PDIP-T28
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:MASK ROM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:28
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.7 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

RP231027E 数据手册

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