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RO2731B10W

更新时间： 2024-02-14 12:47:18

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	166K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 1.4A I(C) \| FO-91VAR

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RO2731B10W 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	1.4 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RO2731B10W 数据手册

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与RO2731B10W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RO2731B20W	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 2.7A I(C) \| FO-91VAR
RO2731B50W	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 6.5A I(C) \| FO-91VAR
RO2A	SANKEN	获取价格	Rectifier Diodes
RO2AV	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RO2AV1	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RO2AV3	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RO2AV4	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RO2AWK	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RO2AWS	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RO2B	SANKEN	获取价格	Rectifier Diodes

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