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RN1444B

更新时间: 2024-01-17 03:08:27
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7页 291K
描述
TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59

RN1444B 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):350
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHzVCEsat-Max:0.1 V

RN1444B 数据手册

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