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RN1421(TE85R)

更新时间： 2024-02-09 08:59:31

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	547K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1421(TE85R) 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

RN1421(TE85R) 数据手册

RN1421∼RN1427

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1421,RN1422,RN1423,RN1424

RN1425,RN1426,RN1427

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Unit: mm

z High current type (I (max) = 800mA)

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

z Low V

(sat)

z Complementary to RN2421 to RN2427

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1421

RN1422

RN1423

RN1424

RN1425

RN1426

RN1427

2.2

4.7

2.2

4.7

S-Mini

JEDEC

JEITA

TO-236MOD

SC-59

0.47

TOSHIBA

2-3F1A

2.2

Weight: 12 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

RN1421 to 1427

Collector-emitter voltage

RN1421 to 1424

RN1425, 1426

RN1427

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

800

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

200

RN1421 to 1427

150

stg

−55 to 150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2010-08-20

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN1421(TE85R2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener
RN142-1.4/02	ETC	获取价格	CHOKE 27MH 1.4A
RN142-1.4-02	ETC	获取价格	Current-compensated Chokes
RN142-1.4-02-27M	Schaffner	获取价格	Current-compensated Chokes
RN142-1/02	ETC	获取价格	CHOKE 33MH 1A
RN1421_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit An
RN142-1-02	ETC	获取价格	Current-compensated Chokes
RN142-1-02-33M	Schaffner	获取价格	Current-compensated Chokes
RN1422	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1422(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor

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