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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.28 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1425(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener |
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| RN1425(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| RN1425(TE85L2) | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| RN1425(TE85R) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener |
|
| RN1425(TE85R2) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener |
|
| RN1426 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN142-6/02 | ETC |
获取价格 |
CHOKE 1.8MH 6A |
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| RN142-6-02 | ETC |
获取价格 |
Current-compensated Chokes |
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| RN142-6-02-1M8 | Schaffner |
获取价格 |
Current-compensated Chokes |
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| RN1427 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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