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RLZ11B

更新时间: 2024-11-23 04:08:03
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罗姆 - ROHM 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 189K
描述
Zener diode

RLZ11B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.75其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 ΩJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3膝阻抗最大值:120 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:11 V最大反向电流:0.2 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:10最大电压容差:2.55%
工作测试电流:10 mABase Number Matches:1

RLZ11B 数据手册

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RLZ4.7B  
Diodes  
Zener diode  
RLZ4.7B  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
Voltage regulation  
ꢀBAND  
CATHODE  
(1st COLOR BAND)  
(2nd COLOR BAND)  
(3rd COLOR BAND)  
0.4  
0.4  
zFeatures  
1) Grass seald envelope. (LLDS)  
2) High reliability.  
3.4±0.2  
ROHM : LLDS  
JEDEC : LL-34  
φ1.5MAX  
zConstruction  
Silicon planar  
zLand size figure (Unit : mm)  
zStructure  
5.0  
1.4  
1.4  
R1.4  
LLDS  
zTaping specifications (Unit : mm)  
1.5±0.1  
ꢀꢀꢀ 0  
0.3MAX  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
φ1.0±0.2  
ꢀꢀꢀꢀꢀ0  
1.8±0.2  
TE-11  
4.0±0.1  
1.6±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
500  
175  
Symbol  
P
Unit  
mW  
Tj  
-65 to +175  
Tstg  
Rev.A  
1/4  

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