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RL1N1200F-E

更新时间: 2024-02-02 20:07:08
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1200V V(RRM), Silicon

RL1N1200F-E 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V最大反向恢复时间:0.3 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

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