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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 200 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 8.5 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.0425 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 0.5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RH4779A-1PCT | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| RH4779A-1PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| RH4779A-2PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| RH4779A-3PCT | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| RH4779A-3PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| RH4779AE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.5V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4779E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.5V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4779TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| RH4780 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 8.5V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4780-1PCT | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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