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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 200 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 9.1 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.91 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 1 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RH4770AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4770E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4771 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4771AE3 | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| RH4771E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4772 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4772A | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4772AE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4772E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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| RH4773 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7 |
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