RGP20D-BP

更新时间： 2024-11-16 13:01:27

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		整流二极管功效
页数	文件大小	规格书
3页	85K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AE, DO-201AE, 2 PIN

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RGP20D-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-201AE
包装说明：	DO-201AE, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.62
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.15 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RGP20D-BP 数据手册

M C C

RGP20A

THRU

RGP20M

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2.0 Amp Glass

Passivated Junction

Fast Recovery

Rectifiers

Features

High temperature metallurgically bonded construction

Glass passivated cavity-free junction

2.0 amperes operation at T =55^OC and with no

thermal runaway.

Typical I less than 0.2uA

50 to 1000 Volts

DO-201AE

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55^OC to +150^OC

Storage Temperature: -55^OC to +150^OC

Typical Thermal Resistance: 22^OC/W Junction to Ambient

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

Maximum DC

Blocking

MCC

Part Number

Maximum

RMS Voltage

Voltage

RGP20A

RGP20B

RGP20D

RGP20G

RGP20J

RGP20K

RGP20M

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

140V

280V

420V

560V

700V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Maximum Average

Forward Current

Peak Forward Surge

Current

I_F(AV)

2.0 A

T = 55^OC

I_FSM

80A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.3V

I_FM= 2.0A;

DIMENSIONS

T =25^OC

INCHES

MIN

---

MIN

DIM

MAX

.370

.250

.042

---

MAX

9.50

6.40

1.06

---

NOTE

5.0uA

T =25^OC

---

200uA T =125^OC

---

.038

1.000

0.96

25.40

Maximum Reverse

Recovery Time

RGP20A-20G

RGP20J

150nS I =0.5A, I_R=1.0A,

250nS I =0.25A

RGP20K-20M

Typical Junction

Capacitance

500nS

35pF

C_J

Measured at

f=1.0MH_Z

V_R=4.0V

www.mccsemi.com

12 3

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与RGP20D-BP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RGP20D-E3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GP
RGP20D-E3/23	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CA
RGP20D-E3/4	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CA
RGP20D-E3/51	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CA
RGP20D-E3/73	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP
RGP20DH	ZOWIE	获取价格	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIER
RGP20D-HE3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GP
RGP20DHE3/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
RGP20DHE3/73	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP
RGP20D-HE3/73	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GP

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