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RFUS20NS6SFH

更新时间： 2024-09-25 21:19:15

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罗姆 - ROHM		超快恢复二极管超快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
4页	790K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263S, 3/2 PIN

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RFUS20NS6SFH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-263S, 3/2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.71	应用：	ULTRA SUPER FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2.8 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	10 µA	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RFUS20NS6SFH 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

Super Fast Recovery Diode

RFUS20NS6SFH

Series

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

Ultra Fast Recovery

Applications

General rectification

Features

1)Ultra low switching loss

2)High current overload capacity

3)Cathode common single type

Structure

②

①

③

Construction

Silicon epitaxial planer

Taping dimensions(Unit : mm)

Absolute maximum ratings(Tc=25C)

Parameter

Conditions

Limits

Unit

Symbol

V_RM

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

600

Duty0.5

Direct voltage

V_R

60Hz half sin wave resistive load ,

1/2 Io per diode

Average rectified forward current

Forward current surge peak

Tc=36C

60Hz half sin wave, Non-repetitive

I_FSM

100

one cycle peak value, Tj=25C

Junction temperature

Storage temperature

150

C

55 to 150

Tstg

Electrical characteristics(Tj=25C)

Parameter

Conditions

I_F=20A

Min.

Typ.

2.4

0.05

Max.

2.8

Symbol

V_F

Unit

Forward voltage

Reverse current

V_R=600V

I_R

μA

Reverse recovery time

Thermal resistance

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to case

trr

Rth(j-c)

C/W

www.rohm.com

2011.06 - Rev.A

1/3

12 3 4

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