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RF301B2S_11

更新时间： 2024-11-22 09:34:51

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罗姆 - ROHM		二极管快恢复二极管
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Fast Recovery Diode

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RF301B2S_11 数据手册

Data Sheet

Fast Recovery Diode

RF301B2S

Land size figure(Unit : mm)

Applications

Dimentions(Unit : mm)

6.0

General rectification

ꢀꢀꢀ

Features

1.6

1)Power mold type(CPD)

2)Ultra Low V_F

3)Very fast recovery

4)Low switching loss

CPD

2.3 2.3

Construction

Structure

Silicon epitaxial planar

(2)

ROHM : CPD

JEITA : SC-63

Manufacture Date

(3)

(1)

Taping specifications(Unit : mm)

Absolute maximum ratings(Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current(*1)

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)(*1)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

55 to 150

Tstg

(*1)Bussiness frequencies, Rating of R-load, Tc=128C MAX.

Electrical characteristics(Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

0.87

10nA

Max.

0.93

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=3A

V_R=200V

I_R

μA

trr

Reverse recovery time

Thermal impedance

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25*I_R

JUNCTION TO CASE

jc

C/W

www.rohm.com

2011.05 - Rev.D

1/3

12 3 4

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