RD5.6EB1

更新时间： 2024-11-15 03:37:31

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日电电子 - NEC		稳压二极管齐纳二极管
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12页	96K
描述
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

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RD5.6EB1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	5.41 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
最大电压容差：	2.13%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

RD5.6EB1 数据手册

DATA SHEET

ZENER DIODES

RD2.0E to RD200E

500 mW DHD ZENER DIODE

(DO-35)

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the

popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction

having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application

at customers, V^z(zener voltage) is classified into the tight tolerance under

the specific suffix (B, B1 to B7).

(in millimeters)

0.5

FEATURES

Cathode

indication

•

DHD (Double Heatsink Diode) Construction

Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)

DO-35 Glass sealed package

2.0 MAX.

ORDER INFORMATION

RD2.0 E to RD39E with suffix “B1”, “B2”, “B3”, “B4”, “B5”, “B6” or “B7”

should be applied for orders for suffix “B”.

APPLICATIONS

Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform Clipper, Surge absorber, etc.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Forward Current

200 mA

500 mW

Power Dissipation

Surge Reverse Power

Junction Temperature

Storage Temperature

PRSM

T^j

100 W (t = 10 µs)

175 ˚C

to see Fig. 17

Tstg

–65 to +175 ˚C

Document No. D10213EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published December 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1981

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