Datasheet > RD45HMF1

RD45HMF1

更新时间： 2024-01-15 20:13:29

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	322K
描述
Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RD45HMF1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RD45HMF1 数据手册

MITSUBISHI RF POWER MOS FET

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

RD45HMF1

Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W

OUTLINE DRAWING

DESCRIPTION

25.0+/-0.3

RD45HMF1 is a MOS FET type transistor specifically

designed for 900MHz-band High power amplifiers

applications.

7.0+/-0.5 11.0+/-0.3

4-C2

FEATURES

•High power and High Gain:

Pout>45W, Gp>4.7dB @Vdd=12.5V,f=900MHz

•High Efficiency: 50%typ.

+0.05

0.1

-0.01

R1.6+/-0.15

4.5+/-0.7

6.2+/-0.7

APPLICATION

5.0+/-0.3

For output stage of high power amplifiers in

18.5+/-0.3

800-900MHz Band mobile radio sets.

1.DRAIN

2.SOURCE

3.GATE

UNIT:mm

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Tc=25 UNLESS OTHERWISE NOTED)

°C

SYMBOL

PARAMETER

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Channel dissipation

Input power

CONDITIONS

RATINGS UNIT

Vgs=0V

+/-20

125

DSS

GSS

Vds=0V

Pch

Tch

Tstg

Rth j-c

Tc=25°C

Zg=Zl=50Ω

Drain current

175

°C

°C/W

Channel temperature

Storage temperature

Thermal resistance

-40 to +175

1.2

junction to case

Note 1: Above parameters are guaranteed independently.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25 UNLESS OTHERWISE NOTED)

°C

LIMITS

UNIT

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP MAX.

Zerogate voltage drain current V =17V, V =0V

DSS

GSS

Gate to source leak current

Gate threshold voltage

Output power

=10V, V =0V

Pout

=12V, I =1mA

1.0

3.0

f=900MHz ,V =12.5V

Drain efficiency

Load VSWR tolerance

Pin=15W,Idq=2.0A

ηD

=15.2V,Po=45W(PinControl)

No destroy

Idq=2.0A,Zg=50Ω

Load VSWR=20:1(All Phase)

Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.

RD45HMF1

REV.2 7 Apr. 2003

MITSUBISHI ELECTRIC

1/7

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与RD45HMF1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD45HMF1_06	MITSUBISHI	获取价格	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W
RD45R22J	ABCO	获取价格	RADIAL LEADED INDUCTORS
RD45R22K	ABCO	获取价格	RADIAL LEADED INDUCTORS
RD46CFW	ETC	获取价格
RD46CFY	ETC	获取价格
RD46CKW	ETC	获取价格
RD46CKY	ETC	获取价格
RD46CLW	ETC	获取价格
RD46CLY	ETC	获取价格
RD46KDW	ETC	获取价格