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RD33UJN

更新时间： 2024-11-23 13:00:47
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
12页 96K
描述
Zener Diode, 33V V(Z), 5.71%, 0.15W, Silicon, Unidirectional

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RD33UJN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.5其他特性：LOW NOISE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：33 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5.71%
工作测试电流：0.5 mABase Number Matches：1

RD33UJN 数据手册

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DATA SHEET  
ZENER DIODES  
RD2.0E to RD200E  
500 mW DHD ZENER DIODE  
(DO-35)  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the  
popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction  
having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application  
at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance under  
the specific suffix (B, B1 to B7).  
(in millimeters)  
φ
0.5  
FEATURES  
Cathode  
indication  
•
•
•
DHD (Double Heatsink Diode) Construction  
Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)  
DO-35 Glass sealed package  
φ
2.0 MAX.  
ORDER INFORMATION  
RD2.0 E to RD39E with suffix “B1”, “B2”, “B3”, “B4”, “B5”, “B6” or “B7”  
should be applied for orders for suffix “B”.  
APPLICATIONS  
Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform Clipper, Surge absorber, etc.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Forward Current  
IF  
200 mA  
500 mW  
Power Dissipation  
P
Surge Reverse Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
100 W (t = 10 µs)  
175 ˚C  
to see Fig. 17  
Tstg  
–65 to +175 ˚C  
Document No. D10213EJ5V0DS00 (5th edition)  
Date Published December 1998 N CP(K)  
Printed in Japan  
1981  
©
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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