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RBR1LAM60ATFTR

更新时间: 2024-02-20 13:59:06
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罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 2139K
描述
Rectifier Diode,

RBR1LAM60ATFTR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:12 weeks
风险等级:5.62二极管类型:RECTIFIER DIODE
湿度敏感等级:1峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RBR1LAM60ATFTR 数据手册

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RBR1LAM60ATF  
Schottky Barrier Diode  
(AEC-Q101 qualified)  
Data sheet  
Outline  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ  
V
60  
1
V
A
A
R
I
o
I
40  
FSM  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Small power mold type  
Low V  
F
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
General rectification  
Embossed Tape  
Reel Size(mm)  
180  
12  
3000  
TR  
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
Structure  
Silicon epitaxial planar  
Marking  
06  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Absolute Maximum Ratings  
c
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Symbol  
Conditions  
Duty0.5  
Limits  
60  
60  
Unit  
V
V
V
RM  
V
Reverse direct voltage  
R
Glass epoxy mounted  
I
60Hzhalf sin waveformresistive load、  
Average rectified forward current  
1
A
A
o
T =135Max.  
c
60Hzhalf sin waveformNon-repetitive、  
I
Peak forward surge current  
40  
FSM  
one cycleT =25℃  
a
Junction temperature(1)  
Storage temperature  
-
-
150  
-55 150  
T
j
T
stg  
Note(1) To avoid occurrence of thermal runawayactual board is to be designed to fulfill dP /dT<1/R .  
d
j
th(j-a)  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Characteristics  
j
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
V
I =1A  
F
-
-
0.53  
V
F
I
R
Reverse current  
V =60V  
R
-
-
75  
μA  
Attention  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
©2016 ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
1/5  
2017/03/31_Rev.001  

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