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RBO40-40G-TR

更新时间： 2024-02-25 05:57:57

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10页	270K
描述
REVERSED BATTERY AND OVERVOLTAGE PROTECTION CIRCUIT (RBO)

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RBO40-40G-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.77
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大钳位电压：	40 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	250
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

RBO40-40G-TR 数据手册

RBO40-40G / RBO40-40T

Fig. 1 : Peak pulse power versus exponential

pulse duration (Tj initial = 85°C).

Fig. 2-1 : Clamping voltage versus peak pulse

current (Tj initial = 85°C).

Exponential waveform tp = 40 ms and tp = 1 ms

(TRANSIL T2).

CL(V)

Ppp(kW)

10.0

45.0

42.5

40.0

37.5

35.0

32.5

30.0

5.0

Transil T2

2.0

1.0

0.5

tp = 40ms

Transil T1

tp = 1ms

0.2

0.1

tp(ms)

Ipp(A)

100

0.2

0.5

10 20

50 100

0.1

Fig. 2-2 : Clamping voltage versus peak pulse

current (Tj initial = 85°C).

Fig. 3 : Relative variation of peak pulse power

versus junction temperature.

Exponential waveform tp = 1 ms and tp = 20 µs

(TRANSIL T1).

Ppp[Tj]/Ppp[Tj initial=85°C]

VCL(V)

1.20

1.00

0.80

0.60

0.40

p = 1ms

tp = 20µs

0.20

Tj initial (°C)

(

0.00

10 20

50 100 200

500

100

125

150

175

7/10

1...4 5 678 9 10

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