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RBO08-40G-TR

更新时间： 2024-02-20 01:43:05

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9页	303K
描述
REVERSED BATTERY AND OVERVOLTAGE PROTECTION CIRCUIT (RBO)

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RBO08-40G-TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	POWER, SO-10	针数：	10
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.51	最大钳位电压：	40 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G10
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

RBO08-40G-TR 数据手册

RBO08-40G / RBO08-40T

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

I_FSM

Non repetitive surge peak forward current

(Diode D1)

tp = 10 ms

I_F

DC forward current (Diode D1)

Tc = 75°C

P_PP

Peak pulse power between Input and Output

(Transil T1) see note 1 Tj initial = 25°C

10/1000 µs

600

P_PP

Peak pulse power between Pins 3 and 2 (10/1000µs)

1500

T_stg

Storage temperature range

Maximum junction temperature

- 40 to + 150

150

°C

T_L

Maximum lead temperature for soldering during 10 s

at 4.5mm from case for TO220-AB

260

°C

Note 1 : for a surge greater than the maximum value, the device will fail in short-circuit..

THERMAL RESISTANCE

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth (j-c)

Junction to case

RBO08-40M

RBO08-40T

2.4

°C/W

I32

I13

I_R32

I_{R M}32

31 V 31

V32

V13

V_RM32 V_{B R}32 V_{C L}32

Ipp31

2/9

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与RBO08-40G-TR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RBO08-40M	STMICROELECTRONICS	REVERSEDBATTERYAND OVERVOLTAGEPROTECTIONCIRCUITRBO	获取价格
RBO08-40M-TR	STMICROELECTRONICS	SILICON SURGE PROTECTOR, POWER, SO-10	获取价格
RBO08-40T	STMICROELECTRONICS	REVERSEDBATTERYAND OVERVOLTAGEPROTECTIONCIRCUITRBO	获取价格
RBO40	STMICROELECTRONICS	REVERSED BATTERY AND OVERVOLTAGE PROTECTION	获取价格
RBO40-40	STMICROELECTRONICS	IC,AUTOMOTIVE,REVERSE BATTERY & OVERVOLTAGE PROTECTION CKT,SIP,3PIN,PLASTIC	获取价格
RBO40-40G	STMICROELECTRONICS	REVERSEDBATTERYAND OVERVOLTAGEPROTECTIONCIRCUITRBO	获取价格