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RBO08-40G-TR

更新时间： 2024-01-23 00:15:14

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9页	303K
描述
REVERSED BATTERY AND OVERVOLTAGE PROTECTION CIRCUIT (RBO)

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RBO08-40G-TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	POWER, SO-10	针数：	10
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.51	最大钳位电压：	40 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G10
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

RBO08-40G-TR 数据手册

RBO08-40G / RBO08-40T

Fig. 1 : Peak pulse power versus exponential

pulse duration (Tj initial = 85°C).

Fig. 2-1 : Clamping voltage versus peak pulse

current (Tj initial = 85°C).

Exponential waveform tp = 40 ms and tp = 1 ms

(TRANSIL T2).

P p (kW)

VCL(V)

10.0

5.0

2.0

1.0

0.5

tp = 40ms

Transil T2

tp = 1ms

Diode D1

0.2

Ipp(A)

tp(ms)

0.1

0.1 0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10.0 20.0

50.0

100

Fig. 3 : Relative variation of peak pulse power

versus junction temperature.

Fig. 2-2 : Clamping voltage versus peak pulse

current (Tj initial = 85°C).

Exponential waveform tp = 1 ms and tp = 20 µs

(TRANSIL T1).

Ppp[Tj]/Ppp[Tj initial=85°C]

VCL(V)

1.20

1.00

0.80

0.60

0.40

tp = 1ms

tp = 20 s

0.20

(A)

Tj initial (°C)

0.00

0.1 0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10.0 20.0 50.0 100.0

100

125

150

175

6/9

1...3 4 567 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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