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RB095T-90

更新时间： 2024-09-29 22:40:59

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	208K
描述
Schottky barrier diode

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RB095T-90 数据手册

RB095T-90

Diodes

Schottky barrier diode

RB095T-90

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zStructure

9.9

Switching power supply

0.8

10.0

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

zFeatures

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

1.1

7.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

1) Cathode common type.

(TO-220)

φ3.1±0.1

φ1.2

7.2

①

2) Low I

3) High reliability

1.2

1.3

0.8

(1) (2) (3)

zConstruction

0.7±0.015

7.0

2.6±0.03

0.8

2.54±0.5 2.54±0.5

Silicon epitaxial planar

7.2

3-φ1.2

ROHM : ＴO220FN

Manufacture Date

①

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1)

Junction temperature

Storage temperature

I_FSM

100

150

-40 to +150

℃

Tstg

(*1)Tc=100℃max Per chip : Io/2

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.75

150

3.0

Unit

I_F=3A

I_R

Reverse current

µA

V_R=90V

Thermal impedance

θjc

℃/W

junction to case

Rev.A

1/3

12 3 4

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RB095T-90 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VF40100C-E3/4W	VISHAY	功能相似	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

与RB095T-90相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RB095T-90_10	ROHM	获取价格	Schottky barrier diode
RB095T-90_11	ROHM	获取价格	Schottky barrier diode
RB095T-90HZ	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220FN
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RB098BGE150	ROHM	获取价格	RB098BGE150适用于开关电源用途，是超低VF的肖特基势垒二极管。
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