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RB095T-90HZ

更新时间: 2024-09-30 21:21:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 940K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220FN, 3 PIN

RB095T-90HZ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.63其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.75 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:90 V
最大反向电流:150 µA反向测试电压:90 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RB095T-90HZ 数据手册

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Schottky barrier diode  
Data Sheet  
RB095T-90HZ  
AEC-Q101 Qualified  
Structure  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Switching power supply  
Features  
1) Cathode common type.  
(TO-220)  
(1) (2) (3)  
2) Low IR  
3) High reliability  
9
Construction  
Silicon epitaxial planer  
Packing Dimensions (Unit : mm)  
7
540  
34.5  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
90  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
V
V
90  
6
100  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc) (*1)  
Junction temperature  
Io  
A
IFSM  
Tj  
A
150  
C  
C  
Storage temperature  
40 to 150  
Tstg  
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=127C  
Electrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VF  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.75  
150  
Unit  
V
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
-
-
IF=3A  
IR  
VR=90V  
A  
Thermal impedance  
1.75  
junction to case  
jc  
C/W  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.09 - Rev.A  
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