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RAL025P01TCR

更新时间： 2024-01-13 14:48:02

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罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	2418K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TUMT6, 6 PIN

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RAL025P01TCR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.062 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RAL025P01TCR 数据手册

RAL025P01

ꢀꢀPch -12V -2.5A Small Signal MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

lOutline

ꢀ

SOT-363T

V_DSS

-12V

62mΩ

±2.5A

1.0W

TUMT6

R_DS(on)(Max.)

ꢀ

I_D

ꢀ

P_D

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low on - resistance.

2) -1.5V Drive.

3) Built-in G-S Protection Diode.

4) Small Surface Mount Package (TUMT6).

5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

Reel size (mm)

180

llApplication

Tape width (mm)

Type

Switching

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

3000

Marking

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

I_D

Value

-12

Unit

Drain - Source voltage

Continuous drain current

Pulsed drain current

±2.5

I_DP

±6

V_GSS

Gate - Source voltage

0～-8

1.0

P_D

℃

Power dissipation

P_D

0.91

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20160615 - Rev.001

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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