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RAL025P01TR

更新时间： 2024-09-27 21:16:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	612K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TUMT6, 6 PIN

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RAL025P01TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.062 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RAL025P01TR 数据手册

RAL025P01

Pch -12V -2.5A Power MOSFET

Datasheet

lOutline

(6)

V_DSS

-12V

62mW

-2.5A

(5)

TUMT6

(4)

R_DS(on)(Max.)

(1)

I_D

(2)

(3)

P_D

lFeatures

lInner circuit

1) Low on - resistance.

(1) Drain

(2) Drain

(3) Gate

(4) Source

(5) Drain

(6) Drain

2) -1.5V Drive.

3) Built-in G-S Protection Diode.

4) Small Surface Mount Package (TUMT6).

5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

*1 ESD PROTECTION DIODE

*2 BODY DIODE

lPackaging specifications

Packaging

Taping

180

Reel size (mm)

lApplication

Tape width (mm)

Type

DC/DC converters

Basic ordering unit (pcs)

3,000

Taping code

Marking

lAbsolute maximum ratings(T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

Value

-12

Unit

V_DSS

Drain - Source voltage

Continuous drain current

Pulsed drain current

I_D

2.5

I_D,pulse

V_GSS

6

Gate - Source voltage

0 to -8

1.0

°C

P_D

Power dissipation

0.32

P_D

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +150

www.rohm.com

2013.02 - Rev.B

1/11

12 3 4 5 6 7...12

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